Premières diodes tunnel GaAs sur le marché

Les diodes tunnel à l'arséniure de GALLIUM annoncées par Texas Instruments sont les premiers dispositifs à l'arséniure de gallium disponibles dans le commerce dans le monde.

Ainsi, il y a 63 ans, commençait un article dans l'édition d'Electronics Weekly du 12 octobre 1960.

L'histoire continue :

Ils représentent une avancée majeure dans la fourniture de ce qui a été décrit comme le matériau « idéal » pour tirer pleinement parti de la théorie des diodes tunnel.

Ces nouvelles diodes sont déjà en pleine production aux États-Unis et sont importées dans ce pays. La fabrication sera entreprise ici si la demande ou les exigences de défense le justifient. Les premières livraisons des unités ont déjà été effectuées aux clients.

Quatre types ont été annoncés, connus sous le nom de série IN650. Ils ont des rapports crête/valve très élevés, supérieurs à 15:1, et fonctionnent à haute température jusqu'à 150 degrés C.

Ils ont été conçus pour des applications spécifiques dans les circuits informatiques à grande vitesse.

En même temps que la diode tunnel, sont annoncés des extensions de la gamme de redresseurs Texas, deux capteurs de lumière photovoltaïques au silicium et trois nouveaux transistors Mesa au germanium destinés à une utilisation informatique.