Magnachip étend son 7ème

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10 juillet 2023, 6 h 55 HE

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SÉOUL, Corée du Sud, 10 juillet 2023 /PRNewswire/ -- Magnachip Semiconductor Corporation (« Magnachip » ou « Société ») (NYSE : MX) a annoncé aujourd'hui que la société a lancé quatre nouveaux MXT LV Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors (MOSFET)*, utilisant la technologie Super-Short Channel, pour élargir encore la gamme de MOSFET MXT LV de septième génération de Magnachip pour les circuits de protection de batterie d'appareils mobiles.

Super-Short Channel est la dernière technologie de conception de Magnachip pour réduire Ron (la résistance des MOSFET pendant le fonctionnement à l'état passant) en raccourcissant la longueur du canal entre la source et le drain. Le Ron de ces nouveaux MOSFET a été réduit de 24 à 40 % par rapport aux générations précédentes, et par conséquent, les performances de la batterie sont améliorées avec de faibles pertes de puissance lorsqu'une batterie est en charge ou en décharge.

De plus, Magnachip propose un service de conception personnalisé pour ces produits, basé sur les spécifications de l'application et les capacités de la batterie, de sorte que les tailles des MOSFET peuvent être réduites respectivement de 5 à 20 %.

Grâce à ces capacités techniques, une conception flexible et des options de taille compacte, la gamme étendue de MOSFET MXT LV répond aux diverses exigences techniques d'une large gamme d'appareils mobiles, des téléphones pliables haut de gamme aux écouteurs sans fil.

« Magnachip a lancé cette année cinq nouveaux MOSFET MXT LV pour les circuits de protection de batterie », a déclaré YJ Kim, PDG de Magnachip. "Nous continuerons à créer des MOSFET haut de gamme offrant une grande efficacité énergétique et des performances exceptionnelles pour les appareils mobiles afin de consolider notre présence sur le marché."

* MXT LV MOSFET (Magnachip eXtreme Trench Low Voltage MOSFET) : portefeuille de produits de pointe de Magnachip composé de MOSFET à tranchée 12 ~ 40 V

Caractéristiques du produit

Famille de MOSFET MXT LV de 7e génération

Produit

VDS

RDS(activé)1

RSS(sur)2

Emballer

MDWC12D028ERH

12V

2,8 mΩ

WLCSP

MDWC12D044E

12V

-

4,4 mΩ

WLCSP

MDWC22D020E

22V

-

2,0 mΩ

WLCSP

MDW24D048E

24V

4,8 mΩ

-

Tranche

MDW24D150E

24V

15,0 mΩ

-

Tranche

1 RDS(on) : la résistance entre le drain et la source des MOSFET pendant le fonctionnement à l'état passant. 2 RSS(on) : la résistance entre les bornes source des MOSFET connectés en série pendant le fonctionnement à l'état passant.

À propos de Magnachip SemiconductorMagnachip est un concepteur et fabricant de solutions de plates-formes de semi-conducteurs analogiques et à signaux mixtes pour les applications de communication, d'IoT, grand public, informatiques, industrielles et automobiles. La société propose une large gamme de produits standards à ses clients du monde entier. Magnachip, avec plus de 40 ans d'expérience opérationnelle, possède un portefeuille d'environ 1 100 brevets enregistrés et demandes en attente, et possède une vaste expertise en matière d'ingénierie, de conception et de processus de fabrication. Pour plus d’informations, veuillez visiter www.magnachip.com. Les informations disponibles sur le site Web de Magnachip ou accessibles via celui-ci ne font pas partie de cette version et ne sont pas intégrées à cette version.

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