5A 200V N

5A 200V N;

5A 200V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet B5n20 to-251

PARAMÈTRE		SYMBOLE	VALEUR		UNITÉ
			5N20/I5N20/E5N20/B5N20/D5N20	F5N20
Tension source Drian		V_DS	200		V
Tension grille-drain		V_GS	±30		V
Courant de drain (continu)		je_D(T=25ºC)	5		UN
		(T=100ºC)	3.4		UN
Courant de vidange (pulsé)		je_DM	20		UN
Énergie d'avalanche à impulsion unique		E_COMME	125		mJ
Récupération de crête de diode dv/dt		dv/dt	5		V/NS
Dissipation totale	Ta=25ºC	Prise de force	2	2	W
	CT=25ºC	Prise de force	40	20	W
Température de jonction		T_j	-55~150		ºC
température de stockage		T_stg	-55~150		ºC

Caractéristiques

Commutation rapide

Faible résistance (Rdson≤0,65Ω)

Charge de porte faible (type : 7 nC)

Faibles capacités de transfert inverse (type : 8pF)

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