7A 800V N

7A 800V N;

7A 800V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet F7n80 to-220f **%off

PARAMÈTRE		SYMBOLE	VALEUR		UNITÉ
			7N80/I7N80/E7N80	F7N80
Tension CC maximale de la source Drian		V_DS	800		V
Tension grille-drain maximale		V_GS	±30		V
Courant de drain (continu)		je_D(T=25ºC)	7		UN
		(T=100ºC)	4		UN
Courant de vidange (pulsé)		je_DM	28		UN
Énergie d'avalanche à impulsion unique		E_COMME	150		mJ
Récupération de crête de diode dv/dt		dv/dt	5		V/NS
Dissipation totale	Ta=25ºC	Prise de force	2	2	W
	CT=25ºC	Prise de force	120	48	W
Température de jonction		T_j	-55~150		ºC
température de stockage		T_stg	-55~150		ºC

Caractéristiques

Commutation rapide

Faible résistance à l'activation

Charge de porte faible

Faibles capacités de transfert inverse

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